1.晶界分散技藝

　　傳統燒結磁體的工藝：按肯定的配比熔煉和鍛造制作出小片的NdFeB，而后詐騙氫爆和精磨制成2-10μm的粉末微粒，再壓成磁場定向的小塊，而后燒結退火，再把燒結塊按需求的尺寸切割成磁體，表面研磨、倒角，表面鍍防腐層。傳統工藝中，鏑(Dy)和鋱(Tb)在熔煉工序加入，重稀土元素在終的磁體中會平均分散，全部永磁體截面的矯頑力相同。

　　晶界分散技藝(GBD)：在切割和研磨階段，在磁體表面上敷上富含鏑或鋱的化合物，而后經過一個24~36小時的熱處理工藝將重稀土元素分散進永磁體。(詳細的晶界分散工藝技藝品種還很多，每個永磁體廠家都有所差異)

　　晶界分散技藝的磁體含有更少的重稀土元素(HRE)，因為在基合金中的重稀土含量不妨顯赫減少，在某些狀況下不妨消除，平常在0–4%的分量百分比界線內(wt%)，同時分散平常是在低于1%的Tb或Dy的品質分數界線內進行的。

　　晶界分散技藝不妨運用1/3~1/2的傳統工藝運用的鏑或鋱的用量抵達和傳統工藝磁體相同高的剩磁(Br)和矯頑力(Hcj)。

　　2.EV/HEV電機轉子特點

　　是一張有限元法(FEA)計算的高退磁磁場下的轉子永磁體的磁密場圖。不妨看出在角落和邊緣位置有較高的退磁磁場，因此在這些位置需求更多的抗退磁保護。

　　GBD工藝剛好不妨提供這種保護，因為在角落和邊緣位置HRE增添，而且這種保護的本錢相比于傳統工藝更低。

　　3.分散永磁磁體中稀土元素的分散

　　電子探針顯微鏡下的鋱分散磁體截面map：

　　顯現4個面有顯然的Tb層，和角落部分增添的Tb分散特征;顯現此外兩個面沒有Tb分散產生，注腳這些的滲透是從四個面進行的。顯現同一個面內的Tb分散相當不平均。

　　整體上分散紀律：角落>邊緣>中心，晶界>地區>晶粒。